Tetracloruru d'afniu | Polvere di HfCl4 | CAS 13499-05-3 | prezzu di fabbrica

Descrizzione corta:

U tetracloruru d'afniu hà applicazioni impurtanti cum'è precursore di l'ossidu d'afniu, catalizatore per a sintesi urganica, applicazioni nucleari è deposizione di film sottili, mettendu in risaltu a so versatilità è impurtanza in diversi campi tecnologichi.

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Dettagli di u produttu

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Descrizzione di u produttu

Breve introduzione

Nome di u produttu: Tetracloruru d'afniu
N° CAS: 13499-05-3
Formula di u cumpostu: HfCl4
Pesu moleculare: 320,3
Aspettu: Polvere bianca

Specificazione

Articulu	Specificazione
Aspettu	Polvere bianca
HfCl4+ZrCl4	≥99,9%
Zr	≤200 ppm
Fe	≤40 ppm
Ti	≤20 ppm
Si	≤40 ppm
Mg	≤20 ppm
Cr	≤20 ppm
Ni	≤25ppm
U	≤5ppm
Al	≤60 ppm

Applicazione

Precursore di diossidu d'afniuU tetracloruru d'afniu hè principalmente adupratu cum'è precursore per pruduce diossidu d'afniu (HfO2), un materiale cù eccellenti proprietà dielettriche. L'HfO2 hè largamente adupratu in applicazioni dielettriche à alta k per transistor è condensatori in l'industria di i semiconduttori. L'HfCl4 hè essenziale in a fabricazione di dispositivi elettronichi avanzati per via di a so capacità di furmà film sottili di diossidu d'afniu.
Catalizzatore di sintesi organicaU tetracloruru d'afniu pò esse adupratu cum'è catalizatore per diverse reazzioni di sintesi organica, in particulare a polimerizazione di l'olefine. E so proprietà di l'acidu di Lewis aiutanu à furmà intermedi attivi, migliurendu cusì l'efficienza di e reazzioni chimiche. Questa applicazione hè preziosa in a pruduzzione di polimeri è altri cumposti organici in l'industria chimica.
Applicazione NucleareA causa di a so alta sezione trasversale d'assorbimentu di neutroni, u tetracloruru d'afniu hè largamente utilizatu in applicazioni nucleari, in particulare in e barre di cuntrollu di i reattori nucleari. L'afniu pò assorbe efficacemente i neutroni, dunque hè un materiale adattatu per regulà u prucessu di fissione, chì aiuta à migliurà a sicurezza è l'efficienza di a generazione d'energia nucleare.
Deposizione di film sottileU tetracloruru d'afniu hè adupratu in i prucessi di deposizione chimica da vapore (CVD) per furmà filmi sottili di materiali à basa d'afniu. Quessi filmi sò essenziali in una varietà d'applicazioni, cumprese a microelettronica, l'ottica è i rivestimenti protettivi. A capacità di deposità filmi uniformi è di alta qualità rende l'HfCl4 preziosu in i prucessi di fabricazione avanzati.